В текущем месяце компания Intel раскрыла свои планы освоения новых, более совершенных, стандартов фотолитографического процесса, а ведь предыдущий раз о планах Intel мы слышали всего месяц назад. Новая информация поддерживает предыдущие данные и немного расширяет временной диапазон прогноза, так в начале мая общественность узнала о перспективах развития фотолитографической технологии до 2015 года, когда Intel планирует перейти к 10 нм техпроцессу производства чипов.

На днях компанией Intel было организовано мероприятие под названием Research@Intel. В ходе этого мероприятия ведущие специалисты компании поведали о грядущих нововведениях и технологиях, которые будут использоваться в ближайшем будущем. Роадмап освоения следующих ступеней фотолитографического процесса в ходе мероприятия был раскрыт ещё на более длительный срок, уже не до 2015 года, а до 2017 года, причем стоит отметить что по плану к этому времени компанией будут освоены технологические нормы 7 нм.
Хотя стоит заметить, что даже рамки списка технологий, которые сделают возможным функционирование полупроводниковых схем со столь малым шагом литографического техпроцесса, ещё не до конца определены. В планах Intel на этом десятилетие присутствуют такие этапы, как использование соединений германия, оптических межсоединений, вычислительной литографии, нановолокон и синтезируемых на молекулярном уровне сверхсовременных материалов.